据搜狐新闻报道，经过多年的积淀，中国红外成像芯片领域整体能力上有了质的飞跃。以高德红外、艾睿光电、大力科技为代表的中国制冷与非制冷用红外成像芯片在集成度、小型化、芯片分辨率、芯片材料技术等方面取得了多项重大突破，在相当程度上打破了多年来关键技术和产品依赖进口的局面。
2018年是中国红外成像芯片能力集体爆发的一年，这年，中国正式进入红外成像芯片百万像素时代。1280X1024、2kX2k、2.7kX2.7k等百万分辨率芯片纷纷研制成功并投放市场；像元间距实现了由35/25/20微米向17/14/12微米的过渡，艾睿光电更于2019年8月5日于北京发布了基于10微米芯片技术的产品，成为全球具有该项能力的两家公司之一；晶圆尺寸实现了从4英寸、6英寸向8英寸的过渡；各公司掌握了碲镉汞、磷化铟、铟砷化镓等各类化合物半导体材料的应用，材料应用上已经与国际水平持平。
中国虽然取得了在红外成像技术上质的突破，但总体上创新能力还比较弱，产品总体上还处于模仿阶段，产品良率还有待于提高。
